Изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла \(\mathsf{Bi_{12}SiO_{20}}\) под действием электрического поля пространственного заряда

Abstract

Изучено изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кубических фоторефрактивных кристаллов класса симметрии 23 под действием электрического поля пространственного заряда объемной голографической решетки. При расчетах принимались во внимание первичный и вторичный электрооптические эффекты. Построены поверхности нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла Bi₁₂SiO₂₀ для типичных ориентаций вектора напряженности электрического поля пространственного заряда в кристаллографической системе координат, используемых при записи голографических решеток. Получены сечения поверхностей и определены кристаллографические направления, вдоль которых достигаются экстремальные значения нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости. Показано, что при фиксированном направлении вектора напряженности электрического поля пространственного заряда вторичный электрооптический эффект может обусловливать как увеличение, так и уменьшение нормальной составляющей обратного тензора диэлектрической проницаемости.