Просмотр «Изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла \(\mathsf{Bi_{12}SiO_{20}}\) под действием электрического поля пространственного заряда»

Вернуться к Подробностям о статье Изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла \(\mathsf{Bi_{12}SiO_{20}}\) под действием электрического поля пространственного заряда Скачать Скачать PDF