Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе \(\mathsf{GaN}\)

Abstract

Получены аналитические соотношения для вольтамперных характеристик гетеропереходных транзисторов на основе нитрида кремния. Формулы отражают зависимость ВАХ от толщины барьерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Проведено сравнение формульных ВАХ с полученными на основе численного моделирования.