Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе \(\mathsf{GaN}\)

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Прагляды: 145
Загрузкі: 48
PDF (Русский)
Апублікаваны: сту 7, 2018

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Н.Н. Ворсин
А.А. Гладыщук
Н.П. Тарасюк
С.В. Чугунов

Анатацыя

Получены аналитические соотношения для вольтамперных характеристик гетеропереходных транзисторов на основе нитрида кремния. Формулы отражают зависимость ВАХ от толщины барьерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Проведено сравнение формульных ВАХ с полученными на основе численного моделирования.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Як цытаваць
[1]
Ворсин, Н. et al. 2018. Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе \(\mathsf{GaN}\). Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка. 2 (Jan. 2018), 26–31.
Выпуск
№ 2 (2018): Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка
Раздзел
ФІЗІКА