Диффузионные процессы в тонкоплёночных структурах

Abstract

Приводятся результаты экспериментального анализа структур полупроводник-металл-диэлектрик (ПМД) методами рентгеновской фотоэлектронной (РФС) и оже-спектроскопии (ЭОС), теоретического описания диффузионных процессов, происходящих в тонкопленочных структурах ПМД, изготовленных последовательным термическим вакуумным напылением на диэлектрик тонких пленок металла (Сd) и полупроводника (SnI₂).