МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИСХОДНО ЗАКРЫТОГО ALGAN ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Прагляды: 109
Загрузкі: 51
PDF (Русский)
Апублікаваны: сне 29, 2025
DOI: https://doi.org/10.63874/2218-0303-2025-2-59-68
Ключавыя словы:
гетеропереходный полевой транзистор (ГПТ), нитрид галия (GaN), нитрид алюминия (AlN), диффузионно-дрейфовая модель, метод градиента электронной плотности, поляризация, исходно закрытый транзистор, вольт-амперная характеристика (ВАХ), исходно закрытый транзистор.

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Николай Николаевич Ворсин
Брестский государственный технический университет
Анатолий Антонович Гладыщук
Брестский государственный технический университет
Татьяна Леонидовна Кушнер
Брестский государственный технический университет
Евгений Викторович Луценко
Институт физики имени Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси

Анатацыя

Нитрид галлия (GaN) обладает многими превосходными физическими свойствами: широкую запрещенную зону 3,4 эВ, большим критическим полем пробоя 3,3 МВ/см, высокую скорость насыщения для электронов 2,5 · 107 см/с и хорошую теплопроводность до 1,5 Вт/(смK). Благодаря этим свойствам устройства на основе GaN являются весьма перспективными для широкого применений в полупроводниковых приборах включая высокоскоростную и мощную электронику. В работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель исходно закрытого гетеропереходного полевого транзистора (ГПТ) на основе AlxGax-1N, включающая его вольтамперную характеристику (ВАХ) и другие параметры.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Як цытаваць
[1]
Ворсин, Н.Н. et al. 2025. МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИСХОДНО ЗАКРЫТОГО ALGAN ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА. Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка. 2 (Dec. 2025), 59–68. DOI:https://doi.org/10.63874/2218-0303-2025-2-59-68.
Выпуск
№ 2 (2025): Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка
Раздзел
ФІЗІКА

Бібліяграфічныя спасылкі

1. Куэй, Р. Электроника на основе нитрида галлия / Р. Куэй. – М. : Техно-сфера, 2011. – 587 с.

2. Zineeddine, T. Design and analysis of 10 nm T-gate enhancement-mode MOS-HEMT for high power microwave applications / T. Zineeddine, H. Zahra, M. Zitouni //J. of Sci. Adv. Mater. Devices. – 2019. – № 4. – P. 180–187.

3. Данлэп, У. Введение в физику полупроводников : пер. с англ. / У. Данлэп. – М. : Изд-во иностр. лит., 2011. – 430 c.

4. Исследование поляризаций нитридных соединений (Al, Ga, AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе / И. А. Супрядкина [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2013. – T. 47, № 12. – C. 1647–1652.

5. Gate leakage suppression and breakdown voltage enhancement in p-GaN GJT transistors using metal / graphene gates / G. Zhou [et al.] // IEEE Trans. Electron Devices. – 2019. – Vol. 67. – P. 875–880.

6. Нормально-закрытый транзистор с затвором p-типа на основе гетероструктур AlGaN / GaN / В. И. Егоркин [и др.] // Известия вузов. Электроника. – 2020. – Т. 25, № 5. – С. 391–401.

7. Development of UV image intensifier tube with GaN photocathode / I. Mizuno [et al.] // Proc. of SPIE. – 2008. – Vol. 6945. – P. 69451N-1 – 69451N-11.