Навныко В, Аманова М, Шепелевич В, Юдицкий В. Изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла \(\mathsf{Bi_{12}SiO_{20}}\) под действием электрического поля пространственного заряда. ВБрГУФиз [Интернет]. 1 июль 2019 г. [цитируется по 15 май 2026 г.];(2):24-3. доступно на: https://journal.brsu.by/index.php/physics/article/view/3217