В. Навныко, М. Аманова, В. Шепелевич, и В. Юдицкий, «Изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла \(\mathsf{Bi_{12}SiO_{20}}\) под действием электрического поля пространственного заряда», ВБрГУФиз, вып. 2, сс. 24–34, июл. 2019.