Навныко, В.; Аманова, М.; Шепелевич, В.; Юдицкий, В. Изменение компонентов обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла \(\mathsf{Bi_{12}SiO_{20}}\) под действием электрического поля пространственного заряда. ВБрГУФиз 2019, 24-34.