Аналитические соотношения для ВАХ ХЕМТ на основе \(\mathsf{GaN}\) - Ворсин, Н.Н.; Гладыщук, А.А.; Тарасюк, Н.П.; Чугунов, С.В. (Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка, 2018)
Получены аналитические соотношения для вольтамперных характеристик гетеропереходных транзисторов на основе нитрида кремния. Формулы отражают зависимость ВАХ от толщины барьерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Проведено сравнение формульных ВАХ с полученными на основе численного моделирования.