МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИСХОДНО ЗАКРЫТОГО ALGAN ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА - Ворсин, Николай Николаевич; Гладыщук, Анатолий Антонович; Кушнер, Татьяна Леонидовна; Луценко, Евгений Викторович (Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка, 2025)
Нитрид галлия (GaN) обладает многими превосходными физическими свойствами: широкую запрещенную зону 3,4 эВ, большим критическим полем пробоя 3,3 МВ/см, высокую скорость насыщения для электронов 2,5 · 107 см/с и хорошую теплопроводность до 1,5 Вт/(смK). Благодаря этим свойствам устройства на основе GaN являются весьма перспективными для широкого применений в полупроводниковых приборах включая высокоскоростную и мощную электронику. В работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель исходно закрытого гетеропереходного полевого транзистора (ГПТ) на основе AlxGax-1N, включающая его вольтамперную характеристику (ВАХ) и другие параметры.