МОДЕЛИРОВАНИЕ AlGaN ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Прагляды: 147
Загрузкі: 43
PDF (Русский)
Апублікаваны: сне 31, 2024
Ключавыя словы:
гетеропереходный полевой транзистор, нитрид галлия, нитрид алюминия, диффузионно-дрейфовая модель, метод градиента электронной плотности, поляризация, вольтамперная характеристика.

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Николай Николаевич Ворсин
Анатолий Антонович Гладыщук
Татьяна Леонидовна Кушнер
Евгений Викторович Луценко
Геннадий Петрович Яблонский

Анатацыя

Тройное соединение AlGaN с шириной запрещенной зоны от 3,4 до 6,2 эВ является перспективным материалом для построения различных электронных приборов: диодов, транзисторов, лазеров, СВЧ-микросхем. Замена кремния на GaN позволяет в несколько раз повысить рабочую температуру, граничную частоту, уменьшить в несколько раз потери переключения и проводимости в силовых приборах. Необходимым элементом освоения новых электронных устройств является компьютерное моделирование физических процессов в них. В настоящей работе с помощью программного обеспечения COMSOL Multiphysics разработана модель гетеропереходного полевого транзистора (ГПТ) на основе AlxGa1-xN, включающая его ВАХ и другие параметры.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Як цытаваць
[1]
Ворсин, Н.Н. et al. 2024. МОДЕЛИРОВАНИЕ AlGaN ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА. Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка. 2 (Dec. 2024), 28–40.
Выпуск
№ 2 (2024): Веснік Брэсцкага ўніверсітэта. Серыя 4. Фізіка. Матэматыка
Раздзел
ФІЗІКА

Бібліяграфічныя спасылкі

1. Куэй, Р. Электроника на основе нитрида галлия : пер. с англ. / Р. Куэй ; под ред. А. Г. Васильева. – М. : Техносфера, 2011. – 592 с.

2. Zine-eddine, T. Design and analysis of 10 nm T-gateenhancement-mode MOS-HEMT for high power microwave applications. / T. Zine-eddine, H. Zahra, M. Zitouni // J. of Sci.: Adv. Mater. Devices. – 2019. – Nr 4. – Р. 180–187.

3. Данлэп, У. Введение в физику полупроводников : пер. с англ. / У. Данлэп ; под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. – М. : Изд-во иностр. лит., 2011. – 430 c.

4. Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе / И.А. Супрядкина [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т. 47, вып. 12. – С. 1647–1652.

5. Development of UV image intensifier tube with GaN photocathode / I. Mizuno [et al.] // Proc. of SPIE. Optics and Photonics in Global Homeland Security IV. – 2008. – Vol. 69451N.

6. SILVACO International ATLAS : User’s Manual. Simulation of an SEU Event in 2D. Copyright 2019 [Electronic resource]. – Mode of access: https://dokumen.-tips/documents/atlas-users-manual.html?page=1. – Date of access: 06.10.2024.